廣告廣告
  加入我的最愛 設為首頁 風格修改
首頁 首尾
 手機版   訂閱   地圖  簡體 
您是第 3163 個閱讀者
 
發表文章 發表投票 回覆文章
  可列印版   加為IE收藏   收藏主題   上一主題 | 下一主題   
kimalo921 會員卡
個人文章 個人相簿 個人日記 個人地圖

知名人士
級別: 知名人士 該用戶目前不上站
推文 x4 鮮花 x44
分享: 轉寄此文章 Facebook Plurk Twitter 複製連結到剪貼簿 轉換為繁體 轉換為簡體 載入圖片
推文 x0
[轉貼][其他] 45納米時代
【轉貼網址】 http://news.sina.com.tw/tech/sinacn/...4838197461.shtml

雖然斷言晶片業已邁入45納米時代還有些為時過早,但這項革命性的技術確實已經從實驗室走向了市場,它將引發深遠的影響。

  本刊記者 陳亮

  我們的家中和辦公室里已經塞滿了電腦、手機這樣內嵌了晶片的電子產品,我們真的需要還全套新玩意兒麼?晶片製造業斷定消費者仍然有此需求。

  與前一代技術65納米乃至90納米相比,45納米就好比是填充木桶的『沙子』,它可以幹更多的事情:這是晶片製造工藝上的一個質的飛躍,它可以在不增加晶片體積的前提下,在相同體積內集成多達將近一倍的電晶體,使晶片的功能得到擴展,也使得集成更多緩存變得輕而易舉。

  這意味著什麼呢?對CPU晶片來說,45納米制程代表著更加出色的性能,誰先掌握了45納米制程技術就意味著有更多機會把對方率先擊倒在地。在晶片製造領域,一場圍繞製造工藝的競賽正在展開,包括英特爾、AMD、IBM、富士通、高通、三星等半導體廠商都不約而同將45納米列入了發展日程。

  下一代制程大戰

  對技術巨擎們來說,這場競爭好比群雄逐鹿的F1大獎賽,儘管大家最終都會到達同樣的終點,但所有參賽選手都在力圖率先撞線,以獨享鎂光燈和香檳美酒的殊榮。

  截至目前,英特爾公司占據了上風。早在去年年初,英特爾就披露了其45納米工藝的初始細節,並聲稱已經製造出了世界上首批基於45納米技術的晶片。目前,英特爾正在開發的45納米制程產品超過15種,涵蓋台式機、筆記本、工作站和企業版產品領域,代號為『Penryn』的45納米處理器即將在今年第三季度推出。而在10月底之前,英特爾新投產的名為『Fab 32』的工廠將能實現大規模的45納米處理器的製造。

  這將大大提高英特爾公司的產品競爭力。據英特爾中國區產品總監洪力介紹說,45納米Penryn雙核處理器中含有4億多個電晶體,四核處理器中含有8億多個電晶體,該系列處理器採用了全新的微體系架構特性,擁有更強的性能和電源管理能力,更高的核心速度以及高達12兆位元組的緩存。可以想像,應用了該款處理器的電腦,不僅運行速度更快,在節能方面也將更勝一籌。

  需要提及的是,新的工藝制程只是英特爾雙塔奇謀的一路兵力。近年來,英特爾為了遏制競爭對手,採取了新的Tick-Tock(鐘擺)戰略,即每逢奇數年更新一次工藝制程,每逢偶數年更新一次體系架構,兩者交錯進行。比如2006年,英特爾推出了酷睿2微體系架構,今年則推出了45納米工藝制程,再往後,將是新一代的體系架構和32納米技術先後出現。洪力解釋說,之所以兩方面交錯進行,是為了提高技術推廣的成功率,『畢竟同時更新體系架構和工藝制程,研發難度更大,市場也不容易接受。』

  在對手的強大壓力下,AMD也宣布了其向45納米進軍的計劃,它將同IBM公司展開合作,從2008年開始生產45納米的處理器。而目前,AMD的生產線還處於從90納米向60納米的過渡階段,對於公司在工藝制程落後于人的現狀,AMD伺服器及工作站產品全球業務經理莊富瑞解釋說,客戶購買的是處理器產品而不是納米,AMD能夠在65納米的水平下將功耗控制在英特爾需要45納米才能接近的水平,所以不能簡單地用納米來衡量處理器的先進程度。

  不僅是PC領域,手機也有望迎來45納米時代。8月初,高通公司宣布首款利用45納米處理技術的晶片已完成設計,它擁有更快的速度、更低的功耗以及更高的集成度,同時還能在每個晶片上提供更多管芯,從而降低管芯成本。低能耗晶片對手機產品來說非常關鍵,它意味著我們將來的手機可以待機更長時間,並且操作反應更加靈活。

  瓶頸問題

  是否45納米時代已經觸手可及?科學家告誡說,在通往45納米時代的路上依然存在一些障礙,其中首當其衝的是電晶體漏電問題。

  電晶體漏電已經是產業頑疾。事情是這樣的:隨著晶片中電晶體數量增加,原本僅數個原子層厚的二氧化硅絕緣層會變得更薄,進而導致洩漏更多電流,洩漏的電流又增加了晶片的額外功耗。這是一個難以治愈的惡性迴圈,從90納米時代就已經開始困擾晶片製造商,65納米和45納米工藝更是面臨艱巨的挑戰。為了解決這一問題,晶片廠商的通常做法就是維持核心電壓不變甚至提高,這就導致了功耗居高不下。

  降低CPU的核心電壓已經成為當務之急,這也逼迫晶片廠商通過其他途徑來解決電晶體漏電問題。英特爾公司做出了積極嘗試,它採用了一種新型金屬材料─專有的高-k介質材料作為電晶體柵介質,這種介質和金屬柵極的組合使電晶體漏電量非常低,性能大為提升。『這是自上世紀60年代晚期推出多晶硅柵極金屬氧化物半導體(MOS)電晶體以來,電晶體技術領域里最重大的突破。』英特爾公司聯合創始人戈登‧摩爾說。

  這也並非萬全之策。新材料的採用在有效控制電晶體漏電同時,也帶來一些副作用,即信號延遲。用銅來代替鋁作為互聯材料降低信號延遲大約40%,而新型高-k介質則使得信號延遲又降低20%左右。要解決信號延遲難題,就必須尋找新的解決方案,光互連技術開始浮出水面,它將把晶片業引入光學、物理學以及IC製造的交叉性新領域。目前,多家廠商已開始開發該技術,包括IBM和安捷倫公司甚至收到了美國國防部3000萬美元的資助。

  對於普通消費者而言,討論如何迎接即將到來的45納米時代更加現實一些。毫無疑問,我們需要繼續更新自己的電腦、手機產品,才能不斷適應新的時代,這似乎是一個沒有終點的迴圈,好在,這個迴圈是螺旋上升的。假使你不吝惜開支努力跟風的話,晶片廠商的努力也就沒有白費了。



=好東西不該放在硬碟等壞軌=
獻花 x0 回到頂端 [樓 主] From:臺灣中華HiNet | Posted:2007-10-10 00:10 |

首頁  發表文章 發表投票 回覆文章
Powered by PHPWind v1.3.6
Copyright © 2003-04 PHPWind
Processed in 0.060489 second(s),query:15 Gzip disabled
本站由 瀛睿律師事務所 擔任常年法律顧問 | 免責聲明 | 本網站已依台灣網站內容分級規定處理 | 連絡我們 | 訪客留言