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TSMC 18 日宣布成功开发 28 奈米制技术，时配合双╱三闸极氧化层 (dual/triple gate oxide) 制程，将 32 奈米制程所使用的氮氧化矽 (Silicon Oxynitride ， SiON)/ 多晶矽 (poly Si) 材料延伸至 28 奈米制程，使得半导体可以持续往先进制程技术推进。此一制程技术的优势还包括高密度与低 Vcc_min 六电晶体静态随机存取记忆体 (SRAM) 元件、低漏电电晶体、已通过验证的传统类比╱射频╱电子熔线 (analog/RF/electrical fuse) 元件、低电阻 - 电容延迟 (low-RC) 的低介电质铜导线 (Cu-low-k interconnect) 。



现时 TSMC 已成功以 28 奈米双╱三闸极氧化层系统单晶片技术生产出 64Mb SRAM ，良率十分优异。此一 SRAM 的元件尺寸为 0.127 平方微米，相当具有竞争力，晶片闸密度 (raw gate density) 高达每平方公厘 390 万个闸。在 SRAM Vcc_min 、电子熔线及类比领域的优异表现足以证明此制程技术的可制造性 (manufacturability) 。



此一领先的制程技术再次展现 TSMC 在低耗电、高效能制程采用氮氧化矽╱多晶矽材料，提供客户深具成本效益解决方案的承诺及能力。在这篇论文中，藉由应变矽 (straining engineering) 与极具竞争力的氧化层厚度最佳化的氮氧化矽材料所产出的电晶体，与前一世代的 45 奈米制程技术相较，不但时脉提高 25 ~ 40% ，操作功耗减少 30 ~ 50% ，还拥有低待机及低操作功耗的优势。



TSMC 研究暨发展副总经理孙元成博士表示，此一进展要归功于客户们和 TSMC 的密切合作。客户需要使用 28 奈米技术来突破半导体应用的新范畴，而我们在创新之路上的不断精进，将有助于半导体产业的创新者所设计的最先进应用得到落实。



个人感想：科技进步好快喔～已经来到了 28nm 了~Good.