恭喜您成功了...也恭喜您有个好U
技嘉主机板不好超....小弟版子极限约295吧
U测试过两个了....还是小弟拿到的U不给我上
另外您可以学习一下RAM参数的最佳化....
虽然有点难...但是对电脑效能有所提升喔
有时候....RAM参数放宽不一定好......
参数最好配合外频及RAM体质做最佳化
资料的话....小弟有空在整理吧
但是单单整理可能就要很久的时间了
要做成教学.....我可能不只暴肝吧>"<
还是有哪位善心人士要帮忙.....
不是简单的以下4个喔
CAS# latency (Tcl)
全名:预充电时间 (CAS Latency)：通常简称CL。
例如CL=3，表示电脑系统自主记忆体读取第一笔资料时，所需的准备时间为3个外部时脉 (System clock)。CL2与CL3的差异仅在第一次读取资料所需准备时间，相差一个时脉，对整个系统的效能并无显着影响。
RAS# to CAS# Delay (Trcd)
全名:列控制器至行控制器传输延迟(Row Adress Strobe,列位址控制器)to CAS(Column Adress Strobe,行位址控制器) 。
记忆体控制器会先送出列(ROW)的位址(例如第2列)，然后RAM收到列的位置后，经过一段时间，才会再传送行(Column)的位址，而这一段时间就是RAS Delay
Min RAS# active time(Tras) 又称RAM Active Timing(记忆体活跃延迟)
一般记忆体模组有分1bank跟2bank(非单面双面颗粒之分)，当CPU在Bank1找完资料,Bank1便需要一段时间恢复才能再供利用,这一段时间就是RAM Active Timing。
Row precharge Time (Trp)
全名:自我充电时间 (Self-Refresh)。DRAM内部具有独立且内建的充电电路，并于一定时间内做自我充电， 通常用在笔记型电脑或可携式电脑等的省电需求高的电脑。
以上资料取自
K8 超频完整教学 - 终极完美版 v3.0但这资料在网路上是常见的...作者是谁不可考>"<
