据市调机构 DRAMeXchange 表示， DRAM 现货市场因为库存水位不低， DDR2 价格延续近期的走势持续疲软， DDR2 512Mb eTT 颗粒收在 0.82 美元，跌幅约 11.8% ；而 DDR2 1Gb eTT 颗粒则下滑至 1.65 美元，跌幅约 13.6% 。值得注意的是 ， DDR2 1Gb 品牌颗粒的价格大幅下滑 18.2% 到 2.01 美元，主要原因 是受到上周的 DDR2 1Gb eTT 颗粒跌幅过快与合约价持续探底的双重影响，再加上整体需求面依然不佳， DRAMeXchange 预估现货市场价格仍会持续往下， DDR2 512Mb eTT 颗粒甚至将可能跌破 0.8 美元的目前关卡。

据了解， 11 月下旬的 DRAM 合约市场， DDR2 667 1GB 记忆体模组平均成交价约为 20 美元，与 11 月上旬 相较，跌幅约 10% 。根据 DRANeXchange 分析，除了 OEM 厂商拿货的意愿低落 之外，现货市场跌价速度过快，也是造成合约价格走弱的主要原因。 12 月份适逢欧美的圣诞假期，在 OEM 厂商备货意愿不高的情形下，对于 12 月上旬合约价的议定，预期仍维持下跌的趋势。

至于在 NAND Flash 方面， 11 月下旬 NAND Flash 合约价大致呈现持平的状况，主要是因为下游客户在 11 月上旬的库存水位已有降低，加上部份厂商在 11 月下旬也开始准备年底销售旺季前所需的晶片，使价格呈现比较止稳的现象。自 9 月初以来 NAND Flash 价格连续跌幅已过深， DRAMeXchange 预期 NAND Flash 合约价可望在年终旺季前的需求支援下，短期内呈现走稳的趋势.