恭喜您成功了...也恭喜您有個好U
技嘉主機板不好超....小弟版子極限約295吧
U測試過兩個了....還是小弟拿到的U不給我上
另外您可以學習一下RAM參數的最佳化....
雖然有點難...但是對電腦效能有所提升喔
有時候....RAM參數放寬不一定好......
參數最好配合外頻及RAM體質做最佳化
資料的話....小弟有空在整理吧
但是單單整理可能就要很久的時間了
要做成教學.....我可能不只暴肝吧>"<
還是有哪位善心人士要幫忙.....
不是簡單的以下4個喔
CAS# latency (Tcl)
全名:預充電時間 (CAS Latency)：通常簡稱CL。
例如CL=3，表示電腦系統自主記憶體讀取第一筆資料時，所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間，相差一個時脈，對整個系統的效能並無顯著影響。
RAS# to CAS# Delay (Trcd)
全名:列控制器至行控制器傳輸延遲(Row Adress Strobe,列位址控制器)to CAS(Column Adress Strobe,行位址控制器) 。
記憶體控制器會先送出列(ROW)的位址(例如第2列)，然後RAM收到列的位置後，經過一段時間，才會再傳送行(Column)的位址，而這一段時間就是RAS Delay
Min RAS# active time(Tras) 又稱RAM Active Timing(記憶體活躍延遲)
一般記憶體模組有分1bank跟2bank(非單面雙面顆粒之分)，當CPU在Bank1找完資料,Bank1便需要一段時間恢復才能再供利用,這一段時間就是RAM Active Timing。
Row precharge Time (Trp)
全名:自我充電時間 (Self-Refresh)。DRAM內部具有獨立且內建的充電電路，並於一定時間內做自我充電， 通常用在筆記型電腦或可攜式電腦等的省電需求高的電腦。
以上資料取自
K8 超頻完整教學 - 終極完美版 v3.0但這資料在網路上是常見的...作者是誰不可考>"<
